Publications

 

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[2] C. Robert, C. Cornet, P. Turban, T. N. Thanh, M. O. Nestoklon, J. Even, J. M. Jancu, M. Perrin, H. Folliot, T. Rohel, S. Tricot, A. Balocchi, D. Lagarde, X. Marie, N. Bertru, O. Durand, et A. Le Corre, « Electronic, optical, and structural properties of (In,Ga)As/GaP quantum dots », PHYSICAL REVIEW B, vol. 86, no 20, nov. 2012.

[3] J.-P. Gauthier, C. Paranthoen, C. Levallois, A. Shuaib, J.-M. Lamy, H. Folliot, M. Perrin, O. Dehaese, N. Chevalier, O. Durand, et A. Le Corre, « Enhancement of the polarization stability of a 1.55 µm emitting vertical-cavity surface-emitting laser under modulation using quantum dashes », OPTICS EXPRESS, vol. 20, no 15, p. 16832‑16837, juill. 2012.

[4] S. Salman, H. Folliot, J. Le Pouliquen, N. Chevalier, T. Rohel, C. Paranthoen, N. Bertru, C. Labbe, A. Letoublon, et A. Le Corre, « Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate », MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, vol. 177, no 11, p. 882‑886, juin 2012.

[5] T. N. Thanh, C. Robert, C. Cornet, M. Perrin, J. M. Jancu, N. Bertru, J. Even, N. Chevalier, H. Folliot, O. Durand, et A. Le Corre, « Room temperature photoluminescence of high density (In,Ga)As/GaP quantum dots », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 99, no 14, oct. 2011.

[6] C. Robert, A. Bondi, T. N. Thanh, J. Even, C. Cornet, O. Durand, J. P. Burin, J. M. Jancu, W. Guo, A. Letoublon, H. Folliot, S. Boyer-Richard, M. Perrin, N. Chevalier, O. Dehaese, K. Tavernier, S. Loualiche, et A. Le Corre, « Room temperature operation of GaAsP(N)/GaP(N) quantum well based light-emitting diodes: Effect of the incorporation of nitrogen », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 98, no 25, juin 2011.

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[8] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, P. M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, et N. Bertru, « Shape Control of QDs Studied by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy », JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, vol. 58, no 5, Part 1, SI, p. 1244‑1250, mai 2011.

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[50] H. Folliot, S. Loualiche, B. Lambert, V. Drouot, et A. Le Corre, « Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP », PHYSICAL REVIEW B, vol. 58, no 16, p. 10700‑10704, oct. 1998.

 

 

  • Conférences, congrès et colloques à communication (Conférences internationales à comité de lecture et actes publiées) (29):

 

 

 

[1] T. N. Thanh, C. Robert, C. Cornet, W. Guo, A. Letoublon, M. Perrin, N. Bertru, J. Even, N. Chevalier, H. Folliot, S. Loualiche, A. Ponchet, G. Elias, J. S. Micha, O. Durand, et A. Le Corre, « Coherent integration of photonics on silicon through the growth of nanostructures on GaP/Si », in QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX, 2012, vol. 8268.

 

[2] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, N. Bertru, et P. M. Koenraad, « Shape control of quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy », JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 109, no 10, mai 2011.

[3] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, P. M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, et N. Bertru, « Shape Control of QDs Studied by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy », JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, vol. 58, no 5, Part 1, SI, p. 1244‑1250, mai 2011.

[4] N. Bertru, C. Paranthoen, O. Dehaese, H. Folliot, A. Le Corre, R. Piron, F. Grillot, W. Lu, J. Even, G. Elias, C. Levallois, S. Loualiche, M. Bozkurt, J. Ulloa, P. Koenraad, et A. Ponchet, « QD laser on InP substrate for 1.55 mu m emission and beyond », in QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VII, 2010, vol. 7608.

[5] W. Guo, A. Bondi, C. Cornet, H. Folliot, A. Letoublon, S. Boyer-Richard, N. Chevalier, M. Gicquel, B. Alsahwa, A. Le Corre, J. Even, O. Durand, et S. Loualiche, « First step to Si photonics: synthesis of quantum dot light-emitters on GaP substrate by MBE », in PHYSICA STATUS SOLIDI C – CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 10, 2009, vol. 6, p. 2207‑2211.

[6] A. Bondi, W. Guo, L. Pedesseau, S. Boyer-Richard, H. Folliot, N. Chevalier, C. Cornet, A. Letoublon, O. Durand, C. Labbe, M. Gicquel, A. Lecorre, J. Even, S. Loualiche, et A. Moreac, « Light emitting diodes on silicon substrates: preliminary results », in PHYSICA STATUS SOLIDI C – CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 10, 2009, vol. 6, p. 2212‑2216.

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[17] C. Cornet, M. Hayne, C. Levallois, P. Caroff, E. Homeyer, J. Even, C. Paranthoen, H. Folliot, C. Labbe, et S. Loualiche, « Production of a laser with a weak current point, with organised and laterally coupled InAs/InP quantum boxes », JOURNAL DE PHYSIQUE IV, vol. 135, p. 141‑142, oct. 2006.

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[21] F. Dore, C. Cornet, A. Schliwa, A. Ballestar, J. Even, N. Bertru, O. Dehaese, I. Alghoraibi, H. Folliot, R. Piron, A. Le Corre, et S. Loualiche, « InAsSb/InGaAs quantum nanostructures on InP (100) substrate: observation of 2.35 mu m photoluminescence », in Physica Status Solidi C – Current Topics in Solid State Physics, Vol 3 no 3, 2006, vol. 3, p. 524‑527.

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[28] M. Guezo, S. Loualiche, J. Even, A. Le Corre, H. Folliot, C. Labbe, et O. Dehaese, « Excitonic formation inhibition in GaInAs/InP Fe doped quantum wells », in COMPOUND SEMICONDUCTORS 2002, 2003, vol. 174, p. 97‑100.

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