[1] C. Robert, T. N. Thanh, C. Cornet, P. Turban, M. Perrin, A. Balocchi, H. Folliot, N. Bertru, L. Pedesseau, M. O. Nestoklon, J. Even, J.-M. Jancu, S. Tricot, O. Durand, X. Marie, et A. Le Corre, « Theoretical and experimental studies of (In,Ga)As/GaP quantum dots », NANOSCALE RESEARCH LETTERS, vol. 7, p. 1‑5, nov. 2012.

[2] C. Robert, C. Cornet, P. Turban, T. N. Thanh, M. O. Nestoklon, J. Even, J. M. Jancu, M. Perrin, H. Folliot, T. Rohel, S. Tricot, A. Balocchi, D. Lagarde, X. Marie, N. Bertru, O. Durand, et A. Le Corre, « Electronic, optical, and structural properties of (In,Ga)As/GaP quantum dots », PHYSICAL REVIEW B, vol. 86, n^o 20, nov. 2012.

[3] J.-P. Gauthier, C. Paranthoen, C. Levallois, A. Shuaib, J.-M. Lamy, H. Folliot, M. Perrin, O. Dehaese, N. Chevalier, O. Durand, et A. Le Corre, « Enhancement of the polarization stability of a 1.55 µm emitting vertical-cavity surface-emitting laser under modulation using quantum dashes », OPTICS EXPRESS, vol. 20, n^o 15, p. 16832‑16837, juill. 2012.

[4] S. Salman, H. Folliot, J. Le Pouliquen, N. Chevalier, T. Rohel, C. Paranthoen, N. Bertru, C. Labbe, A. Letoublon, et A. Le Corre, « Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate », MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, vol. 177, n^o 11, p. 882‑886, juin 2012.

[5] T. N. Thanh, C. Robert, C. Cornet, M. Perrin, J. M. Jancu, N. Bertru, J. Even, N. Chevalier, H. Folliot, O. Durand, et A. Le Corre, « Room temperature photoluminescence of high density (In,Ga)As/GaP quantum dots », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 99, n^o 14, oct. 2011.

[6] C. Robert, A. Bondi, T. N. Thanh, J. Even, C. Cornet, O. Durand, J. P. Burin, J. M. Jancu, W. Guo, A. Letoublon, H. Folliot, S. Boyer-Richard, M. Perrin, N. Chevalier, O. Dehaese, K. Tavernier, S. Loualiche, et A. Le Corre, « Room temperature operation of GaAsP(N)/GaP(N) quantum well based light-emitting diodes: Effect of the incorporation of nitrogen », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 98, n^o 25, juin 2011.

[7] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, N. Bertru, et P. M. Koenraad, « Shape control of quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy », JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 109, n^o 10, mai 2011.

[8] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, P. M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, et N. Bertru, « Shape Control of QDs Studied by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy », JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, vol. 58, n^o 5, Part 1, SI, p. 1244‑1250, mai 2011.

[9] W. Lu, M. Bozkurt, J. G. Keizer, T. Rohel, H. Folliot, N. Bertru, et P. M. Koenraad, « Shape and size control of InAs/InP (113)B quantum dots by Sb deposition during the capping procedure », NANOTECHNOLOGY, vol. 22, n^o 5, févr. 2011.

[10] W. Lu, T. Rohel, N. Bertru, H. Folliot, C. Paranthoen, J. M. Jancu, A. Letoublon, A. Le Corre, C. Gatel, A. Ponchet, N. Combe, J. M. Ulloa, et P. Koenraad, « Achievement of InSb Quantum Dots on InP(100) Substrates », JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 49, n^o 6, Part 1, juin 2010.

[11] C. Gatel, H. Tang, C. Crestou, A. Ponchet, N. Bertru, F. Dore, et H. Folliot, « Analysis by high-resolution electron microscopy of elastic strain in thick InAs layers embedded in Ga0.47In0.53As buffers on InP(001) substrate », ACTA MATERIALIA, vol. 58, n^o 9, p. 3238‑3246, mai 2010.

[12] J. M. Lamy, C. Paranthoen, C. Levallois, A. Nakkar, H. Folliot, J. P. Gauthier, O. Dehaese, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Polarization control of 1.6 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers using InAs quantum dashes on InP(001) », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 95, n^o 1, juill. 2009.

[13] J.-M. Lamy, S. Boyer-Richard, C. Levallois, C. Paranthoen, H. Folliot, N. Chevalier, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Design of an InGaAs/InP 1.55 mu m electrically pumped VCSEL », OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, vol. 40, n^o 14‑15, p. 1193‑1198, nov. 2008.

[14] L. Pedesseau, J. Even, A. Bondi, W. Guo, S. Richard, H. Folliot, C. Labbe, C. Cornet, O. Dehaese, A. Le Corre, O. Durand, et S. Loualiche, « Theoretical study of highly strained InAs material from first-principles modelling: application to an ideal QD », JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, vol. 41, n^o 16, août 2008.

[15] A. Nakkar, H. Folliot, A. Le Corre, F. Dore, I. Alghoraibi, C. Labbe, G. Elias, S. Loualiche, M.-E. Pistol, P. Caroff, et C. Ellstrom, « Optical properties and morphology of InAs/InP (113)B surface quantum dots », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 92, n^o 23, juin 2008.

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[18] C. Cornet, M. Hayne, P. Caroff, C. Levallois, L. Joulaud, E. Homeyer, C. Paranthoen, J. Even, C. Labbe, H. Folliot, V. V. Moshchalkov, et S. Loualiche, « Increase of charge-carrier redistribution efficiency in a laterally organized superlattice of coupled quantum dots », PHYSICAL REVIEW B, vol. 74, n^o 24, déc. 2006.

[19] C. Levallois, B. Caillaud, J. L. de B. de la Tocnaye, L. Dupont, A. Lecorre, H. Folliot, O. Dehaese, et S. Loualiche, « Nano-polymer-dispersed liquid crystal as phase modulator for a tunable vertical-cavity surface-emitting laser at 1.55 mu m », APPLIED OPTICS, vol. 45, n^o 33, p. 8484‑8490, nov. 2006.

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[23] P. J. Maguire, L. P. Barry, T. Krug, W. H. Guo, J. O’Dowd, M. Lynch, A. L. Bradley, J. F. Donegan, et H. Folliot, « Optical signal processing via two-photon absorption in a semiconductor microcavity for the next generation of high-speed optical communications network », JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, vol. 24, n^o 7, p. 2683‑2692, juill. 2006.

[24] C. Cornet, C. Labbe, H. Folliot, P. Caroff, C. Levallois, O. Dehaese, J. Even, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Time-resolved pump probe of 1.55 mu m InAs/InP quantum dots under high resonant excitation », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 88, n^o 17, avr. 2006.

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[26] T. Krug, W. Guo, J. O’Dowd, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, P. Maguire, L. Barry, et H. Folliot, « Resonance tuning of two-photon absorption microcavities for wavelength-selective pulse monitoring », IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 18, n^o 1‑4, p. 433‑435, févr. 2006.

[27] P. Caroff, C. Paranthoen, C. Platz, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, C. Labbe, R. Piron, E. Homeyer, A. Le Corre, et S. Loualiche, « High-gain and low-threshold InAs quantum-dot lasers on InP », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 87, n^o 24, déc. 2005.

[28] C. Cornet, C. Levallois, P. Caroff, H. Folliot, C. Labbe, J. Even, A. Le Corre, S. Loualiche, M. Hayne, et V. Moshchalkov, « Impact of the capping layers on lateral confinement in InAs/InP quantum dots for 1.55 mu m laser applications studied by magnetophotoluminescence », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 87, n^o 23, déc. 2005.

[29] J. Lecourt, B. Ortac, M. Guezo, C. Labbe, H. Folliot, S. Loualiche, A. Hideur, et G. Martel, « Highly Fe-doped InGaAs/InP saturable absorber mode-locking of an erbium fiber laser », JOURNAL OF NONLINEAR OPTICAL PHYSICS & MATERIALS, vol. 14, n^o 3, p. 427‑437, sept. 2005.

[30] C. Levallois, A. Le Corre, S. Loualiche, O. Dehaese, H. Folliot, C. Paranthoen, F. Thoumyre, et C. Labbe, « Si wafer bonded of a-Si/a-SiNx distributed Bragg reflectors for 1.55-mu m-wavelength vertical cavity surface emitting lasers », JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 98, n^o 4, août 2005.

[31] N. Chimot, J. Even, H. Folliot, et S. Loualiche, « Structural and electronic properties of BAs and BxGa1-xAs, BxIn1-xAs alloys », PHYSICA B-CONDENSED MATTER, vol. 364, n^o 1‑4, p. 263‑272, juill. 2005

[32] C. Cornet, C. Platz, P. Caroff, J. Even, C. Labbe, H. Folliot, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Approach to wetting-layer-assisted lateral coupling of InAs/InP quantum dots », PHYSICAL REVIEW B, vol. 72, n^o 3, juill. 2005.

[33] P. Maguire, L. Barry, T. Krug, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, et H. Folliot, « Simulation of a high-speed demultiplexer based on two-photon absorption in semiconductor devices », OPTICS COMMUNICATIONS, vol. 249, n^o 4‑6, p. 415‑420, mai 2005.

[34] C. Platz, C. Paranthoen, P. Caroff, N. Bertru, C. Labbe, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, A. Le Corre, S. Loualiche, G. Moreau, J. Simon, et A. Ramdane, « Comparison of InAs quantum dot lasers emitting at 1.55 mu m under optical and electrical injection », SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. 20, n^o 5, p. 459‑463, mai 2005.

[35] P. Maguire, L. Barry, T. Krug, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, et H. Folliot, « All-optical sampling utilising two-photon absorption in semiconductor microcavity », ELECTRONICS LETTERS, vol. 41, n^o 8, p. 489‑490, avr. 2005.

[36] P. Caroff, N. Bertru, A. Le Corre, O. Dehaese, T. Rohel, I. Alghoraibi, H. Folliot, et S. Loualiche, « Achievement of high density InAs quantum dots on InP (311)B substrate emitting at 1.55 mu m », JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, vol. 44, n^o 33‑36, p. L1069‑L1071, 2005.

[37] M. Gicquel-Guezo, S. Loualiche, J. Even, C. Labbe, O. Dehaese, A. Le Corre, H. Folliot, et Y. Pellan, « 290 fs switching time of Fe-doped quantum well saturable absorbers in a microcavity in 1.55 mu m range », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 85, n^o 24, p. 5926‑5928, déc. 2004.

[38] C. Cornet, C. Labbe, H. Folliot, N. Bertru, O. Dehaese, J. Even, A. Le Corre, C. Paranthoen, C. Platz, et S. Loualiche, « Quantitative investigations of optical absorption in InAs/InP (311)B quantum dots emitting at 1.55 mu m wavelength », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 85, n^o 23, p. 5685‑5687, déc. 2004.

[39] T. Krug, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, L. Barry, H. Folliot, J. Roberts, et G. Hill, « High-sensitivity two-photon absorption microcavity autocorrelator », IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 16, n^o 6, p. 1543‑1545, juin 2004.

[40] C. Paranthoen, N. Bertru, C. Platz, P. Caroff, O. Dehaese, H. Folliot, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Formation of InAs islands on InP(311)B surface by molecular beam epitaxy », JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 257, n^o 1‑2, p. 104‑109, sept. 2003.

[41] A. Shaw, H. Folliot, et J. Donegan, « Carrier diffusion in InAs/GaAs quantum dot layers and its impact on light emission from etched microstructures », NANOTECHNOLOGY, vol. 14, n^o 6, p. 571‑577, juin 2003.

[42] C. Paranthoen, C. Platz, G. Moreau, N. Bertru, O. Dehaese, A. Le Corre, P. Miska, J. Even, H. Folliot, C. Labbe, G. Patriarche, J. Simon, et S. Loualiche, « Growth and optical characterizations of InAs quantum dots on InP substrate: towards a 1.55 mu m quantum dot laser », JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 251,  N 1‑4, p. 230‑235, avr. 2003.

[43] P. Miska, J. Even, C. Paranthoen, O. Dehaese, H. Folliot, S. Loualiche, M. Senes, et X. Marie, « Optical properties and carrier dynamics of InAs/InP(113)B quantum dots emitting between 1.3 and 1.55 mu m for laser applications », PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, vol. 17, n^o 1‑4, p. 56‑59, avr. 2003.

[44] M. Guezo, S. Loualiche, J. Even, A. Le Corre, H. Folliot, C. Labbe, O. Dehaese, et G. Dousselin, « Ultrashort, nonlinear, optical time response of Fe-doped InGaAs/InP multiple quantum wells in 1.55-mu m range », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 82, n^o 11, p. 1670‑1672, mars 2003.

[45] M. Guezo, S. Loualiche, J. Even, A. Le Corre, H. Folliot, C. Labbe, et O. Dehaese, « Excitonic formation inhibition in GaInAs/InP Fe doped quantum wells », in COMPOUND SEMICONDUCTORS 2002, 2003, vol. 174, p. 97‑100.

[46] P. Miska, C. Paranthoen, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, S. Loualiche, M. Senes, et X. Marie, « Optical spectroscopy and modelling of double-cap grown InAs/InP quantum dots with long wavelength emission », SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. 17, n^o 10, p. L63‑L67, oct. 2002.

[47] H. Folliot, M. Lynch, A. Bradley, T. Krug, L. Dunbar, J. Hegarty, J. Donegan, et L. Barry, « Two-photon-induced photoconductivity enhancement in semiconductor microcavities: a theoretical investigation », JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA B-OPTICAL PHYSICS, vol. 19, n^o 10, p. 2396‑2402, oct. 2002.

[48] H. Folliot, M. Lynch, A. Bradley, L. Dunbar, J. Hegarty, J. Donegan, L. Barry, J. Roberts, et G. Hill, « Two-photon absorption photocurrent enhancement in bulk AlGaAs semiconductor microcavities », APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 80, n^o 8, p. 1328‑1330, févr. 2002.

[49] O. Rousiere, D. Lemoine, H. Folliot, S. Hinooda, et R. Granger, « Two-dimensional electron systems in inversion layers of p-type Hg0.8Zn0.2Te metal-insulator-semiconductor structures », EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, vol. 11, n^o 3, p. 491‑496, oct. 1999.

[50] H. Folliot, S. Loualiche, B. Lambert, V. Drouot, et A. Le Corre, « Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP », PHYSICAL REVIEW B, vol. 58, n^o 16, p. 10700‑10704, oct. 1998.

 

 

• Conférences, congrès et colloques à communication (Conférences internationales à comité de lecture et actes publiées) (29):

 

 

 

[1] T. N. Thanh, C. Robert, C. Cornet, W. Guo, A. Letoublon, M. Perrin, N. Bertru, J. Even, N. Chevalier, H. Folliot, S. Loualiche, A. Ponchet, G. Elias, J. S. Micha, O. Durand, et A. Le Corre, « Coherent integration of photonics on silicon through the growth of nanostructures on GaP/Si », in QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX, 2012, vol. 8268.

 

[2] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, N. Bertru, et P. M. Koenraad, « Shape control of quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy », JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 109, n^o 10, mai 2011.

[3] J. G. Keizer, M. Bozkurt, J. Bocquel, P. M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda, E. C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J. J. Finley, W. Lu, T. Rohel, H. Folliot, et N. Bertru, « Shape Control of QDs Studied by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy », JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, vol. 58, n^o 5, Part 1, SI, p. 1244‑1250, mai 2011.

[4] N. Bertru, C. Paranthoen, O. Dehaese, H. Folliot, A. Le Corre, R. Piron, F. Grillot, W. Lu, J. Even, G. Elias, C. Levallois, S. Loualiche, M. Bozkurt, J. Ulloa, P. Koenraad, et A. Ponchet, « QD laser on InP substrate for 1.55 mu m emission and beyond », in QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VII, 2010, vol. 7608.

[5] W. Guo, A. Bondi, C. Cornet, H. Folliot, A. Letoublon, S. Boyer-Richard, N. Chevalier, M. Gicquel, B. Alsahwa, A. Le Corre, J. Even, O. Durand, et S. Loualiche, « First step to Si photonics: synthesis of quantum dot light-emitters on GaP substrate by MBE », in PHYSICA STATUS SOLIDI C – CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 10, 2009, vol. 6, p. 2207‑2211.

[6] A. Bondi, W. Guo, L. Pedesseau, S. Boyer-Richard, H. Folliot, N. Chevalier, C. Cornet, A. Letoublon, O. Durand, C. Labbe, M. Gicquel, A. Lecorre, J. Even, S. Loualiche, et A. Moreac, « Light emitting diodes on silicon substrates: preliminary results », in PHYSICA STATUS SOLIDI C – CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 10, 2009, vol. 6, p. 2212‑2216.

[7] J.-M. Lamy, S. Boyer-Richard, C. Levallois, C. Paranthoen, H. Folliot, N. Chevalier, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Design of an InGaAs/InP 1.55 mu m electrically pumped VCSEL », OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, vol. 40, n^o 14‑15, p. 1193‑1198, nov. 2008.

[8] S. Richard, J. P. Burin, C. Labbe, C. Cornet, H. Folliot, C. Paranthoen, A. Nakkar, T. Rohel, F. Thoumyre, K. Tavernier, et S. Loualiche, « Photocurrent study of InAs/GaInAsP(Q(1.18)) quantum dots », in 2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM), 2008, p. 309‑311.

[9] J. M. Lamy, C. Paranthoen, C. Levallois, A. Nakkar, H. Folliot, O. Dehaese, A. Le Corre, S. Loualiche, O. Castany, et L. Dupont, « InAs quantum wires on InP substrate for VCSEL applications », in 2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM), 2008, p. 487‑490.

[10] F. Dore, C. Labbe, H. Folliot, A. Nakkar, C. Paranthoen, N. Chevalier, K. Tavernier, J. Even, S. Loualiche, D. Lagarde, A. Balocchi, et X. Marie, « Evidence of lateral coupling on the carrier dynamics in InAs/InP(311)B quantum dots », in 2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM), 2008, p. 275‑278.

[11] I. Alghoraibi, T. Rohel, R. Piron, N. Bertru, C. Paranthoen, G. Elias, A. Nakkar, H. Folliot, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Negative Characteristic Temperature of Long Wavelength InAs/AlGaInAs Quantum Dot Laser Grown on InP Substrates », in 2008 3RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES: FROM THEORY TO APPLICATIONS, VOLS 1-5, 2008, p. 1844‑1848.

[12] C. Labbe, C. Cornet, H. Folliot, J. Even, P. Caroff, C. Levallois, O. Dehaese, A. Le Corre, et S. Loualiche, « Carrier relaxation dynamics 1.55 mu m InAs/InP quantum dots under high resonant excitation », in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 2007, vol. 893, p. 991‑992.

[13] C. Labbe, C. Cornet, H. Folliot, P. Caroff, C. Levallois, T. Rohel, J. Even, M. Gicquel-Guezo, et S. Loualiche, « Exciton and biexciton lifetimes in InAs/InP quantum dots emitting at 1.55 mu m wavelength under resonant excitation », in PHYSICA STATUS SOLIDI C – CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4, NO 2, 2007, vol. 4, p. 454‑457.

[14] F. Dore, J. Even, C. Cornet, A. Schliwa, N. Bertru, O. Dehaese, I. Alghoraibi, H. Folliot, R. Piron, A. Le Corre, et S. Loualiche, « A theoretical and experimental study of lambda > 2 mu m luminescence of quantum dots on InP substrate », in Physics of Semiconductors, Pts A and B, 2007, vol. 893, p. 889‑890.

 

[15] C. Cornet, M. Hayne, A. Schwliwa, F. Dore, C. Labbe, H. Folliot, J. Even, D. Bimberg, V. V. Moshchalkov, et S. Loualiche, « Theory and experiment of InAs/InP quantum dots: From calculations to laser emission », in Physics of Semiconductors, Pts A and B, 2007, vol. 893, p. 779‑780.

[16] C. Levallois, P. Caroff, C. Paranthoen, O. Dehaese, A. Le Corre, H. Folliot, et S. Loualiche, « Study of vertical microcavity optical devices for a polarised laser emission », JOURNAL DE PHYSIQUE IV, vol. 135, p. 125‑126, oct. 2006.

[17] C. Cornet, M. Hayne, C. Levallois, P. Caroff, E. Homeyer, J. Even, C. Paranthoen, H. Folliot, C. Labbe, et S. Loualiche, « Production of a laser with a weak current point, with organised and laterally coupled InAs/InP quantum boxes », JOURNAL DE PHYSIQUE IV, vol. 135, p. 141‑142, oct. 2006.

[18] P. J. Maguire, K. Bondarczuk, L. P. Barry, J. O’Dowd, W. H. Guo, M. Lynch, A. L. Bradley, J. F. Donegan, et H. Folliot, « Dispersion monitoring for high-speed WDM networks via two-photon absorption in a semiconductor microcavity », in ICTON 2006: 8th International Conference on Transparent Optical

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[20] F. Dore, C. Cornet, P. Caroff, A. Ballestar, J. Even, N. Bertru, O. Dehaese, I. Alghoraibi, H. Folliot, R. Piron, A. Le Corre, et S. Loualiche, « InAs(Sb)/InP(100) quantum dots for mid-infrared emitters: observation of 2.35 mu m photoluminescence », in Physica Status Solidi C – Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 11, 2006, vol. 3, p. 3920‑3923.

[21] F. Dore, C. Cornet, A. Schliwa, A. Ballestar, J. Even, N. Bertru, O. Dehaese, I. Alghoraibi, H. Folliot, R. Piron, A. Le Corre, et S. Loualiche, « InAsSb/InGaAs quantum nanostructures on InP (100) substrate: observation of 2.35 mu m photoluminescence », in Physica Status Solidi C – Current Topics in Solid State Physics, Vol 3 no 3, 2006, vol. 3, p. 524‑527.

[22] P. Maguire, L. Barry, T. Krug, J. O’Dowd, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, et H. Folliot, « Direct measurement of a high-speed (> 100Gbit/s) OTDM data signal utilising two-photon absorption in a semiconductor microcavity », in 2005 IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceedings (LEOS), 2005, p. 125‑126.

[23] P. Maguire, L. Barry, T. Krug, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, et H. Folliot, « All-optical sampling based on two-photon absorption in a semiconductor microcavity for high-speed OTDM », in Opto-Ireland 2005: Optoelectronics, Photonic Devices, and Optical Networks, 2005, vol. 5825, p. 316‑325.

[24] P. Maguire, L. Barry, T. Krug, A. Bradley, J. Donegan, et H. Folliot, « Highly-efficient optical sampling based on two-photon absorption in a semiconductor micro-cavity device », in 2005 Conference on Lasers & Electro-Optics (CLEO), Vols 1-3, 2005, p. 1112‑1114.

[25] C. Cornet, C. Platz, J. Even, P. Miska, C. Labbe, H. Folliot, et S. Loualiche, « Theoretical description of the electronic coupling between a wetting layer and a QD superlattice plane », in Physics of Semiconductors, Pts A and B, 2005, vol. 772, p. 787‑788.

[26] C. Paranthoen, C. Platz, G. Moreau, N. Bertru, O. Dehaese, A. Le Corre, P. Miska, J. Even, H. Folliot, C. Labbe, G. Patriarche, J. Simon, et S. Loualiche, « Growth and optical characterizations of InAs quantum dots on InP substrate: towards a 1.55 mu m quantum dot laser », JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 251, n^o 1‑4, p. 230‑235, avr. 2003.

[27] P. Miska, J. Even, C. Paranthoen, O. Dehaese, H. Folliot, S. Loualiche, M. Senes, et X. Marie, « Optical properties and carrier dynamics of InAs/InP(113)B quantum dots emitting between 1.3 and 1.55 mu m for laser applications », PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, vol. 17, n^o 1‑4, p. 56‑59, avr. 2003.

[28] M. Guezo, S. Loualiche, J. Even, A. Le Corre, H. Folliot, C. Labbe, et O. Dehaese, « Excitonic formation inhibition in GaInAs/InP Fe doped quantum wells », in COMPOUND SEMICONDUCTORS 2002, 2003, vol. 174, p. 97‑100.

[29] L. Barry, P. Maguire, T. Krug, H. Folliot, M. Lynch, A. Bradley, J. Donegan, J. Roberts, et G. Hill, « Design of micro-cavity semiconductor devices for highly efficient optical switching and sampling applications », in 2002 IEEE/LEOS ANNUAL MEETING CONFERENCE PROCEEDINGS, VOLS 1 AND 2, 2002, p. 839‑840.